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平成29年(2017)年01月期 無線工学の基礎 A-10

平成29年(2017)年01月期 無線工学の基礎 A-10

A–10図に示すトランジスタ(Tr)のバイアス回路において、コレクタ電流ICを3〔mA〕にするためのベース抵抗RBの値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、Trのエミッタ接地直流電流増幅率hFEを300、回路のベース-エミッタ間電圧VBEを0.6〔V〕とする。1500〔kΩ〕IC2520〔kΩ〕3540〔kΩ〕C:コレクタRBRC=2〔kΩ〕4580〔kΩ〕B:ベースBTrC5600〔kΩ〕RC:抵抗E:エミッタVBEEV=12〔V〕V:直流電源電圧

答え:3


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