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平成27年(2015)年01月期 無線工学の基礎 A-10

平成27年(2015)年01月期 無線工学の基礎 A-10

A–10次の記述は、図1に示す図記号及び図2に示す原理的な構造の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、電極のドレイン、ゲート及びソースをそれぞれD、G及びSで表す。D1FETの構造は、接合形である。2チャネルは、N形である。DG3チャネルに流れる多数キャリアは、ホール(正孔)である。GN:N形半導体PN4一般に、D-S間には、Dに正(+)、Sに負(-)の電圧を加えて使う。SP:P形半導体S5一般に、G-S間には、Gに負(-)、Sに正(+)の電圧を加えて使う。図1図2

答え:3


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