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一陸技 令和5年(2023)年01月期2 無線工学の基礎 B-03

一陸技 令和5年(2023)年01月期2 無線工学の基礎 B-03

次の記述は、Pゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K及びGとする。アゲート電流でアノード電流を制御する半導体スイッチング素子である。APNPNKAKイエウこのサイリスタの基本構造(電極を含む)は、図導通(ON)状態と非導通(OFF)状態の二つの安定状態を持つ。導通(ON)状態から非導通(OFF)にするには、ゲート電流を遮断すればよい。1に示すようなP、N、P、NG図1図2Gの4層からなる。P:P形半導体N:N形半導体オ図2は、Pゲート逆阻止3端子サイリスタの図記号である。

答え:1,1,2,2,1


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