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平成28年(2016)年07月期 無線工学の基礎 B-03

平成28年(2016)年07月期 無線工学の基礎 B-03

B–3次の記述は、Pゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K及びGとする。ア基本構造(電極を含む)は、図1に示すようなP、N、P、Nの4層からなる。APNPNKイ図2は、このサイリスタの図記号である。ウゲート電流でアノード電流を制御する半導体スイッチング素子である。P:P形半導体Gエ導通(ON)状態と非導通(OFF)状態の二つの安定状態を持つ。オ導通(ON)状態から非導通(OFF)にするには、ゲート電流を遮断すればよい。N:N形半導体図1AKG図2

答え：1,2,1,1,2

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