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平成27年(2015)年01月期 無線工学の基礎 A-11

平成27年(2015)年01月期 無線工学の基礎 A-11

A–11次の記述は、図1に示す図記号の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。FETD(1)図記号は、Nチャネルのエンハンスメント形MOSFETである。(2)(3)原理的な構造は、図2のAである。一般に、DS間に加える電圧の極性は、Bである。G:ゲートS:ソースD:ドレインGS(4)(3)の場合、GS間電圧を、Gが正(+)、Sを負(-)として大きさを増加図1させると、Dに流れる電流はCする。DDABCNP1ⅠDが正(+)、Sが負(-)減少GGP:P形半導体2ⅠDが負(-)、Sが正(+)減少PNN:N形半導体3ⅠDが正(+)、Sが負(-)増加電極N電極P4ⅡDが負(-)、Sが正(+)減少絶縁膜S絶縁膜S5ⅡDが正(+)、Sが負(-)増加ⅠⅡ図2

答え:3


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