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二陸技 令和5年(2023)年07月期 無線工学A B-03

二陸技 令和5年(2023)年07月期 無線工学A B-03

次の記述は、図に示すデジタル処理型中波AM(A3E)送信機に用いられている電力増幅器の基本回路構成例についてその動作原理を述べたものである。内に入れるべき字句を下の番号から選べ。ただし、回路は無損失とし、負荷は純抵抗とする。また、負荷に加わる電圧波形は矩形波とし、その矩形波の実効値と最大値は等しいものとする。(1)電力増幅器には、オン抵抗のアMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用し、イを向上させている。(2)FET1~FET4は、搬送波を波形整形した矩形波の励振入力φ1及びφ2によって励振されて導通E:100〔V〕(ON)あるいは非導通(OFF)になる。FET1及びびFET4ある。FET3がまた、FET1がOFF励振入力の周波数とき、負荷に流れる電流OFF及びで、かつFET4る。この動作を繰り返すと、負荷には周波数がFET2IエがON及びの向きは、のとき、電流の向きはその逆になFET3で、かつが高周波電流が流れウONFET2のと及で振幅振幅時間時間φ2φ1FET2FET1②I20〔Ω〕I負荷:①FET4FET3φ2φ1振幅振幅時間時間る。(3)直流電源電圧Eが100〔V〕、負荷のインピーダンスの大きさが20〔Ω〕のとき、負荷に供給フルブリッジ型SEPP(SingleEndedPush-Pull)回路の電力増幅器される高周波電力は、オ〔W〕である。

答え:1,6,8,3,10


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