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令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 B-03

令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 B-03

B–3次の記述は、Pゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。このうち正しいものを1、誤っているものを2として解答せよ。ただし、電極のアノード、カソード及びゲートをそれぞれA、K及びGとする。アこのサイリスタの基本構造(電極を含む)は、図1に示すようなP、N、P、NAPNPNKAKの4層からなる。イ図2は、Pゲート逆阻止3端子サイリスタの図記号である。GGウゲート電流でアノード電流を制御する半導体スイッチング素子である。図1図2エ導通(ON)状態と非導通(OFF)状態の二つの安定状態を持つ。オ導通(ON)状態から非導通(OFF)にするには、ゲート電流を遮断すればよい。P:P形半導体N:N形半導体

答え:2,1,1,1,2


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