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平成29年(2017)年07月期 無線工学の基礎 A-10

平成29年(2017)年07月期 無線工学の基礎 A-10

A-10次の記述は、図1に示す図記号の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。FETD(1)図記号は、Nチャネル絶縁ゲート形FETで、エンハンスメント形である。(2)原理的な構造は、図2のAである。D:ドレインG(3)一般に、DS間に加える電圧の極性は、Bである。G:ゲートS:ソースS(4)(3)の場合、GS間電圧を、Gが正(+)、Sを負(-)として大きさを増加させ図1ると、Dに流れる電流はCする。DDABCNP1ⅠDが正(+)、Sが負(-)減少GPG2ⅠDが正(+)、Sが負(-)増加N3ⅠDが負(-)、Sが正(+)増加電極N電極P4ⅡDが正(+)、Sが負(-)増加P:P形半導体絶縁膜S絶縁膜S5ⅡDが負(-)、Sが正(+)減少N:N形半導体ⅠⅡ図2

答え:2


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