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平成28年(2016)年01月期 無線工学の基礎 A-14

平成28年(2016)年01月期 無線工学の基礎 A-14

A–14次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた増幅回路について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、FETの相互コンダクタンス及びドレイン抵抗をそれぞれgm〔S〕及びrD〔Ω〕とし、静電容量C1、C2、CS〔F〕及び抵抗RS〔Ω〕の影響は無視するものとする。また、FETを等価回路で表したときの増幅回路は図2で表されるものとする。(1)図2の回路の交流負荷抵抗RA〔Ω〕は図1のAの並列合成抵抗である。G:ゲートD:ドレインRD(2)出力電圧Voの大きさは、rD≫RAとすると、Vo=B〔V〕である。S:ソースFETC2(3)したがって、電圧増幅度AVの大きさは、AV=Vo/Vi=Cである。1ARDとRLBgmVGSrDCgm(rD+RA)信号源ViRGC1GCSSDRSRLVoV2RDとRLgmVGSRAgm(rD+RA)3RDとRLgmVGSRAgmRA図14RSとRLgmVGSrDgm(rD+RA)5RSとRLgmVGSRAgmRAVi:入力電圧〔V〕RG、RD、RL:抵抗〔Ω〕GFETDVo:出力電圧〔V〕gmVGSVGS:GS間電圧〔V〕ViRGVGSrDRAVoV:直流電源〔V〕SS図2:理想電流源

答え：3

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