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平成30年(2018)年07月期 無線工学A B-05

平成30年(2018)年07月期 無線工学A B-05

B−5次の記述は、図に示すデジタル処理型中波AM(A3E)送信機に用いられている電力増幅器(D級増幅器)の基本回路構成例についてその動作原理を述べたものである。内に入れるべき字句を下の番号から選べ。ただし、回路は無損失とし、負荷は純抵抗とする。また、負荷に加わる電圧波形は矩形波とし、その矩形波の実効値と最大値は等しいものとする。(1)電力増幅器には、オン抵抗のアMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用し、イを向上させている。(2)FET1〜FET4は、搬送波を波形整形した矩形波の励振入力φ1及びφ2によって励振されて導通E:100〔V〕(ON)あるいは非導通(OFF)になる。FET1及びFET4荷に流れる電流Iの向きは、がONで、かつFET2及びFET3がOFFのとき、負また、FET1及びFET4がOFFで、かつFET2及ウである。振幅時間φ1FET1I負荷:①FET3φ2振幅時間力の周波数とエこの動作を繰り返すと、負荷には周波数が励振入びFET3がONのとき、電流の向きはその逆になる。高周波電流が流れる。振幅時間φ2FET2②20〔Ω〕IFET4φ1振幅時間(3)直流電源電圧Eが100〔V〕、負荷のインピーダンスの大きさが20〔Ω〕のとき、負荷に供給される高周波電力は、オ〔W〕である。フルブリッジ型SEPP(SingleEndedPush‑Pull)回路の電力増幅器1小さい2大きい3等しい4異なる52,0006電力効率7周波数特性8①9②10500(GA007‑7)

答え：1,6,9,3,10

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