ques– archive –
-
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-15
A–15次の記述は、図に示す相補的な特性のトランジスタTr1及びTr2を用いた、原理的... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-13
A–13次の記述は、図に示すトランジスタ(Tr)増幅回路について述べたものである。内... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-11
A–11図1に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-12
A–12図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正し... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-10
A–10図1に示すように、ダイオードDを2個直列に接続したときの電圧電流特性(V-I特性... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-09
A–9次の記述は、半導体のキャリアについて述べたものである。内に入れるべき字句の... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-08
A–8図に示す四端子回路網において、四端子定数(A、B、C、D)の値の組合せとして、正... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-05
A–5図に示す抵抗R1、R2、R3及びR4〔Ω〕からなる回路において、抵抗R2及びR4に流れ... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-06
A–6図に示す交流回路において、スイッチSWを断(OFF)から接(ON)にしたとき、回路の... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-07
A–7図に示す回路の端子abから見たインピーダンスZが純抵抗になり共振したとき、Z〔... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-03
A–3次の記述は、図に示すように磁束密度がB〔T〕の磁界中に置かれたP形半導体Dに、... -
令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-04
A–4図に示すように、相互インダクタンスMが1〔H〕の回路の一次側コイルAに周波数が...
