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平成29年(2017)年07月期 無線工学の基礎 A-12

平成29年(2017)年07月期 無線工学の基礎 A-12

A-12次の記述は、図1に示す図記号のPゲート逆阻止3端子サイリスタについて述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。(1)内部の基本的な構造は、図2のAである。A:アノード(2)ゲート電流でアノード-カソード間を流れる電流をBする素子である。K:カソードAK(3)図3の回路でスイッチSWを接(ON)にしたとき、流れる電流Iは、C〔A〕G:ゲートGである。ただし、Vの値はブレークオーバ電圧以下とする。図1ABC1Ⅰ増幅0ⅠⅡSWRI2ⅠスイッチングV/RANPNPKAKA34ⅡⅡ増幅スイッチング00GPNPNGVGK5ⅡスイッチングV/RP:P形半導体N:N形半導体R:抵抗〔Ω〕図2V:直流電源電圧〔V〕図3

答え:4


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