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平成29年(2017)年07月期 無線工学の基礎 A-10

平成29年(2017)年07月期 無線工学の基礎 A-10

A-10次の記述は、エンハンスメント形のNチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、電極のドレイン、ゲート及びソースをそれぞれD、G及びSとする。1原理的な内部構造は、図1である。DD2図記号は、図2である。P3D-S間に流れる電流のキャリアは、主に自由電子である。GP:P形半導体4一般にD-S間に加える電圧は、Dが正(+)でSが負(-)NN:N形半導体Gである。電極P5D-S間に電圧を加えて、G-S間の電圧を0〔V〕にしたと絶縁膜SSき、Dに電流は流れない。図1図2

答え：1

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