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一陸技 令和7年(2025)年01月期 無線工学の基礎 A-12

一陸技 令和7年(2025)年01月期 無線工学の基礎 A-12

次の記述は、MOS形電界効果トランジスタ(FET)の動作原理について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。ただし、同じ記号の内には、同じ字句が入るものとする。(1)図1に示すように、ゲート-ソース(G-S)間電圧VGSを0〔V〕としたとき、PN接合部にAが存在し、ドレイン-ソース(D-S)間に直流電圧VDS〔V〕を加えてもD-S間に電流が流れないFETを、B形FETという。(2)図2に示すように、VGSを十分な大きさの正電圧としたとき、ゲート電極の直下では多数キャリアがしりぞけられてCが形成され、D-S間に電流が流れるようになる。VDSVDSSGDSVGSGD酸化物酸化物N+N+N+N+P形半導体D:ドレインP形半導体S:ソース図1AN+G:ゲート:不純物濃度の高い図2CN形半導体

答え:4


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