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平成27年(2015)年07月期 無線工学の基礎 A-12

平成27年(2015)年07月期 無線工学の基礎 A-12

A–12図1に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電流IDの特性を求めたところ、図2に示す特性が得られた。このとき、VDSが6〔V〕、IDが1.5〔mA〕のときの相互コンダクタンスgmの値として、最も近いものを下の番号から選べ。11.5〔mS〕22.0〔mS〕3VGS=-0.2〔V〕32.5〔mS〕-0.4〔V〕43.0〔mS〕FETIDD2-0.6〔V〕53.5〔mS〕S:ソースD:ドレインV1GVGSSVDSV2→ID〔mA〕1-1.2〔V〕-0.8〔V〕-1.0〔V〕G:ゲートV1、V2:直流電源電圧〔V〕VGS:ゲート-ソース間電圧0246→VDS〔V〕81012図1図2

答え:3


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