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平成28年(2016)年07月期 無線工学の基礎 A-11

平成28年(2016)年07月期 無線工学の基礎 A-11

A–11次の記述は、エンハンスメント形のNチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(MOS形FET)について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、電極のドレイン、ゲート及びソースをそれぞれD、G及びSとする。1原理的な内部構造図は、図1である。DD2図記号は、図2である。3D-S間に流れる電流のキャリアは、主に自由電子である。GPN4一般にD-S間に加える電圧は、Dが正(+)でSが負(-)である。G5D-S間にDが正(+)、Sが負(-)の電圧を加えて、G-S間のP:P形半導体N:N形半導体S電圧を0〔V〕にしたとき、Dに電流は流れない。S図1図2

答え：1

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