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図に示す電界効果トランジスタ(FET)を用いた原理的なコルピッツ発振回路が1,250/π...

図に示すA級増幅回路において、4〔Ω〕の負荷抵抗RLで消費される最大交流出力電力が...

図1に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電流ID...

次の記述は、図1に示すように、特性の等しいダイオードDを二つ直列に接続した回路...

次の記述は、トランジスタに生ずる現象について述べたものである。内に入れるべき...

次の記述は、半導体材料のシリコン(Si)について述べたものである。内に入れるべき...

図に示す直列共振回路において、可変静電容量CVが50〔pF〕のとき共振周波数frは900...

図に示す交流回路において、誘導リアクタンスXLに流れる電流IL〔A〕と容量リアクタ...

次の記述は、図に示す回路において可変抵抗Rv〔Ω〕で消費される電力について述べた...

図に示す抵抗R〔Ω〕で作られた回路において、端子ab間の合成抵抗の値が100〔Ω〕で...

次の記述は、導線に電流が流れているときに生ずる表皮効果について述べたものであ...

次の記述は、図に示す回路の静電容量C1、C2及びC3に蓄えられる電荷について述べた...