ques– archive –
-
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-12
A–12次の記述は、図に示すマイクロ波帯で用いられる原理的な構造の進行波管につい... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-13
A–13図に示すエミッタ接地トランジスタ(Tr)増幅回路において、バイアスのコレクタ... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-09
A–9次の記述は、半導体とその性質について述べたものである。このうち誤っているも... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-10
A–10次の記述は、トランジスタ(Tr)に流れる電流について述べたものである。内に入... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-11
A–11図に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDSを12〔V〕一定... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-08
A–8図に示す交流回路において、スイッチSWを断(OFF)にしたとき、可変静電容量CVが2... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-05
A–5図に示す抵抗R1、R2、R3及びR4〔Ω〕からなる回路において、抵抗R3及びR4に流れ... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-06
A–6次の記述は、図に示す誘導リアクタンスXL〔Ω〕及び抵抗R〔Ω〕の並列回路の電力... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-07
A–7図に示す抵抗R〔Ω〕及び静電容量C〔F〕の回路において、交流電源電圧V〔V〕の角... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-03
A–3次の記述は、図に示す磁石Mの磁極間において、一辺がl〔m〕の正方形のコイルDが... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-04
A–4次の記述は、図に示すように磁束密度がB〔T〕の磁界中に置かれたP形半導体Dに、... -
平成26年(2014)年07月期 無線工学の基礎 A-01
A–1次の記述は、電気力線及び電束について述べたものである。内に入れるべき字句の...