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A-11次の記述は、図に示すマイクロ波帯で用いられる原理的な構造の進行波管につい...

A-12次の記述は、各種電子素子の性質について述べたものである。内に入れるべき字...

A-7図に示す交流回路において、誘導リアクタンスXLに流れる電流L〔A〕と容量リアク...

A-8次の記述は、図に示す回路の可変抵抗RV〔Ω〕で消費される電力について述べたも...

A-9次の図は、半導体素子名と図記号の組合せを示したものである。このうち誤ってい...

A-5図に示す抵抗R1、R2、R3及びR4〔Ω〕からなる回路において、抵抗R2及びR4に流れ...

A-6次の記述は、図に示す抵抗R〔Ω〕、容量リアクタンスXC〔Ω〕及び誘導リアクタン...

A-4次の記述は、図に示すように磁束密度がB〔T〕の磁界中に置かれたP形半導体Dに、...

A-2図に示すように、真空中に1〔cm〕の間隔で置かれた二本の無限長平行直線導線X及...

A-3図に示すように、環状鉄心Mの一部に空隙を設けたときの磁気抵抗の値として、最...

B-5次の記述は、マジックTによるインピーダンスの測定について述べたものである。...

A-1次の記述は、図に示すように均一な電界中における電子Dの運動について述べたも...