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平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-14
A–14図に示すトランジスタ(Tr)を用いた原理的なコルピッツ発振回路が0.1/π〔MHz〕... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-15
A–15次の記述は、図に示す相補的な特性のトランジスタTr1及びTr2を用いた、原理的... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-11
A–11図1に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-12
A–12次の記述は、図に示す原理的な構造のマグネトロンについて述べたものである。... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-13
A-13図に示すトランジスタ(Tr)回路のコレクタ-エミッタ間電圧VCEの値として、正し... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-09
A–9次の記述は、P形半導体について述べたものである。内に入れるべき字句の正しい... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-10
A–10次の記述は、半導体素子の一般的な働き又は用途について述べたものである。こ... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-07
A–7図に示す抵抗R、容量リアクタンスXC及び誘導リアクタンスXLの並列回路に60〔V〕... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-08
A–8次の記述は、図に示す交流回路の自己インダクタンスL〔H〕を変化させたときの回... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-04
A–4次の記述は、図に示す環状鉄心M内にできる磁束密度Bについて述べたものである。... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-05
A–5図に示す抵抗R=180〔Ω〕で作られた回路において、端子ab間の合成抵抗の値として... -
平成30年(2018)年01月期 無線工学の基礎 A-06
A–6次の記述は、図に示す二つの正弦波交流電圧va及びvbの和の電圧vc=va+vbについて...
