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令和2年(2020)年01月期 無線工学の基礎 B-03

令和2年(2020)年01月期 無線工学の基礎 B-03

B-3次の記述は、図1に示す電界効果トランジスタ(FET)増幅回路において、D-G間静電容量CDG〔F〕の高い周波数における影響について述べたものである。内に入れるべき字句を下の番号から選べ。なお、同じ記号の内には、同じ字句が入るものとする。また、図2は、高い周波数では静電容量CS、C1及びC2のリアクタンスが十分小さくなるものとして表した等価回路である。CDGRDC2RG、RD、RS、RL:抵抗〔Ω〕gm:相互コンダクタンス〔S〕GIGCDGDViC1RGCSGSDRSRLVoVSVDViVo:ソース:ドレイン:出力電圧〔V〕:入力電圧〔V〕:直流電源電圧〔V〕ViRGS:理想定電流源gmViRDRLVoG:ゲート図1図2(1)図2に示す回路で、CDGに流れる電流IGは、次式で表される。IG=ア{1/(jωCDG)}〔A〕・・・・・・・・・・・・・・①(2)式①を整理すると、次式が得られる。IG=jωCDG(イ)Vi〔A〕・・・・・・・・・・・②(3)回路の電圧増幅度をAVとすると、Vo/Vi=-AVであるから、式②をAVを使って表すと次式が得られる。IG=jωCDG(ウ)Vi〔A〕・・・・・・・・・・・③(4)式③のCDG(ウ)をCi〔F〕とすれば、Ciは等価的にエ間に接続された静電容量となる。(5)このようにCDGがCiとなって表れる効果をオ効果という。11+1/AV2Vi-Vo31+AV41-Vo/Vi5G–S6D–S7ミラー8Vi9シュミット101-Vi/Vo

答え:2,4,3,5,7


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