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令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-11

令和元年(2019)年07月期 無線工学の基礎 A-11

A–11図1に示す電界効果トランジスタ(FET)のドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電流IDの特性を求めたところ、図2に示す特性が得られた。このとき、VDSが6〔V〕、IDが3〔mA〕のときの相互コンダクタンスgmの値として、最も近いものを下の番号から選べ。15.5〔mS〕D:ドレイン25.0〔mS〕S:ソース6VGS=-0.2〔V〕34.5〔mS〕-0.4〔V〕44.0〔mS〕G:ゲートFETIDD4-0.6〔V〕53.5〔mS〕-0.8〔V〕V1GVGSSVDSV2→ID〔mA〕2-1.2〔V〕-1.0〔V〕V1、V2:直流電源電圧〔V〕28VGS:ゲート-ソース間電圧046→VDS〔V〕1012図1図2

答え：2

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